SSD容量4倍擢升！三星冲刺1000层NAND

快科技6月24日音讯，在2026年VLSI计划会上，公布了面向2030年的V-NAND途径图，中枢决议是通过CMB工夫将两块450层NAND晶圆键合为一体，构建900至1000层以上的堆叠结构。

MoreThanMoore的Ian Cutress博士指出，这一决议可将现在8TB QLC SSD的容量擢升至32TB。

从三星展示的途径图来看，NAND行业刚刚步入400层时期，2029年将已毕420层，2030年冲突560层，随后鄙人一个十岁首期冲击1000层以上。

层数越堆越高带来的紧要挑战是晶圆翘曲，层数越多，堆叠应力越大，晶圆在制造进程中容易发生攻击变形，导致光刻瞄准失败和良率骤降。

对此三星给出的处置决议是Upper Chuck Design，通过专用夹具为止晶圆翘曲，丝袜+影音先锋+空姐同期和谐Overlay Correction工夫修正层间对位缺欠，为后续层数扩展留出空间。

然则单芯片连续往上堆叠终究有物理极限，这恰是三星礼聘CMB决议的原因，将两块稳重的450层NAND芯片通过键合工艺拼接为一体，十分于绕过了单芯片堆叠的瓶颈，用拼接来已毕900层以上的总层数。

不外现在这一工夫仍处于原型阶段，从原型到量产仍需处置键合精度、热推广匹配和量产良率等工程问题。

在竞争神色方面，现在SK以321层NAND越过行业，是首家已毕量产的厂商，国产长江存储的追逐速率通常值多礼贴，长江现在已量产294层和232层NAND产物，正在大界限投资新建晶圆厂，猜想将晶圆产能翻倍。

在AI超周期导致存储供需缺口合手续扩大的布景下，长江存储的扩产时机正值卡在了市集最缺货的窗口期。

• 三星
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